氏名

山内　経則（ﾔﾏｳﾁ ﾂﾈﾉﾘ）

所属

総合システム工学科 電気工学系

職名

教授

生年月

1948/10/16

連絡先所在地

福岡県京都郡苅田町新津1-11　おばせキャンパス　Ｄ棟403号研究室

電話番号

0930-23-8524

担当科目

学部

• 電子回路I
• 電気電子情報概説
• 電子工学実験I
• 電子工学実験II
• キャリアデザインI
• キャリアデザインII
• 卒業研究I
• 卒業研究II
• 電気基礎実験I
• 電気基礎実験II
• ゼミナール

大学院（修士）

• 電子デバイス特論

主な卒業研究テーマ

学部

• 半導体デバイスの精密測定技術の研究
• デジタルパワーアンプの特性改善に関する研究
• 半導体デバイスの応用（自動車用途他）研究

その他（社会活動，委員会，サークル，趣味等）

社会活動

• 電気学会パワーデバイス性能改善・高機能化調査専門委員会 委員 2004年～
• 山川健次郎顕彰会 理事 2002年～
• 社団法人明専会 理事 2008年～
• パワー半導体＆ＩＣ　国際シンポジウム論文委員 1990年～1998年
• 九州半導体・エレクトロニクスイノベーション協議会　会員（2010年９月～現在）
• 行橋市社会教育委員（2010年5月～現在）
• 労働省管轄　中央職業能力開発協会　中央技能検定委員(担当分野半導体製造、および集積回路チップ製造作業）（1995年4月～1997年3月）

クラブ活動

• 硬式テニス部顧問
• おもしろ科学研究会顧問

趣味

• ハイキング
• 絵画
• 音楽（クラシック）鑑賞
• テニス

学位・学歴

取得学位

• 博士（工学） 東北大学 1996年9月
• 工学修士 九州工業大学 1974年3月

学歴

• 東北大学工学研究科電子工学専攻 博士 1996年9月
• 九州工業大学工学研究科電子工学専攻 修士 1974年3月
• 西日本工業大学工学部電気工学科 卒業 1971年3月

研究活動

研究テーマ

• アナログ・デジタル混載ＬＳＩ技術の研究
• 超高周波シリコン半導体デバイスの研究
• 自動車用途などパワートランジスタを内蔵した集積回路の高性能化に関する研究

研究ｷｰﾜｰﾄﾞ

• アナログ・デジタル混載技術
• 集積回路技術
• シリコン半導体
• パワーＩＣ

主な研究業績

• アナログ/デジタル混載LSIに適したBiCMOS技術、電気学会論文誌C（学術雑誌1996年）Vol.116-C,No.8, p.907
• 低電圧対応BiCMOSの高速化と寿命予測、電気学会論文誌C（学術雑誌1996年）
• Mixed-Signal IC(MSIC) for New SOI-Based Structure IECE Trans.Electron.(学術雑誌1992),Vol. E75-c, No.12
• A 6.5ns 1Mb BiCMOS ECL SRAM(国際会議1990）ISSC　Dig. Tech. papers. p.136
• 0.6μｍ High Speed BiCMOS Technology with Emitter-Base Self-Aligned Structure (国際会議1989）IEDM　Tech.Dig. p.241
• SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME(米国特許2005年） United States Patent, US6,838,349 B2
• SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME(米国特許2003年） United States Patent, US6,528,382
• PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SEPARATED BU ANAIR-BRIDGE(米国特許1998年）United States Patent, US5,705,425
• SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A REGION DOPED TO A LEVEL EXCEEDING THE SOLUBILITY LIMIT(米国特許1996年） United States Patent, US5,518,937
• 著書「パワーデバイス・パワーICハンドブック」　コロナ社、共同執筆

所属学会

• 電子情報通信学会
• 電気学会